CDBGBSC201200-G - DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
41328 Pieces
参考价
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规格 CDBGBSC201200-G
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
CDBGBSC201200-G
制造商 :
Comchip Technology
描述 :
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
系列 :
-
零件状态 :
Active
二极管配置 :
1 Pair Common Cathode
二极管类型 :
Silicon Carbide Schottky
电压 - （Vr）（最大） :
1200V
电流 - 平均整流（Io）（每个二极管） :
25.9A (DC)
电压 - 正向（Vf）（最大）@如果 :
1.8V @ 10A
速度 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间（trr） :
0ns
电流 - Vr时反向漏电 :
100µA @ 1200V
工作温度 - 结 :
-55°C ~ 175°C
安装类型 :
Through Hole
封装/箱体 :
TO-247-3
供应商设备封装 :
TO-247
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 CDBGBSC201200-G
数据表 :
CDBGBSC201200-G.pdf
相关产品 CDBGBSC201200-G Comchip Technology
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