规格 HGT1S10N120BNS

零件号 : HGT1S10N120BNS
制造商 : ON Semiconductor
描述 : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
系列 : -
零件状态 : Not For New Designs
IGBT类型 : NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大) : 35A
电流 - 集电极脉冲(ICM) : 80A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路 : 2.7V @ 15V, 10A
功率 - 最大 : 298W
开关能量 : 320µJ (on), 800µJ (off)
输入类型 : Standard
栅极电荷 : 100nC
TD(开/关)@ 25℃ : 23ns/165ns
测试条件 : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr) : -
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装 : TO-263AB
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
142670 件
参考价
USD 0
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