HGT1S10N120BNS - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

制造商零件编号

HGT1S10N120BNS

内部零件号

AX-HGT1S10N120BNS

制造商

ON Semiconductor

简要描述

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

142670 Pieces

参考价

~~USD 1.966416~~

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规格 HGT1S10N120BNS

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : HGT1S10N120BNS

制造商 : ON Semiconductor

描述 : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

系列 : -

零件状态 : Not For New Designs

IGBT类型 : NPT

电压 - 集电极发射极击穿（最大） : 1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大） : 35A

电流 - 集电极脉冲（ICM） : 80A

的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 : 2.7V @ 15V, 10A

功率 - 最大 : 298W

开关能量 : 320µJ (on), 800µJ (off)

输入类型 : Standard

栅极电荷 : 100nC

TD（开/关）@ 25℃ : 23ns/165ns

测试条件 : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V

反向恢复时间（trr） : -

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

封装/箱体 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商设备封装 : TO-263AB

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 HGT1S10N120BNS

数据表 : HGT1S10N120BNS.pdf

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