SSM6N35FE,LM 数据表
规格 SSM6N35FE,LM
零件号 :
SSM6N35FE,LM
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
描述 :
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
系列 :
-
零件状态 :
Active
FET型 :
2 N-Channel (Dual)
FET特点 :
Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） :
20V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
180mA
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
3 Ohm @ 50mA, 4V
VGS（TH）（最大）标识 :
1V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
-
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
9.5pF @ 3V
功率 - 最大 :
150mW
工作温度 :
150°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
SOT-563, SOT-666
供应商设备封装 :
ES6 (1.6x1.6)
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
AX-SSM6N35FE,LM
简要描述
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
6680095 件
参考价
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| 零件号 | 品牌 | 描述 | 购买 |
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Xilinx Inc. |
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