SSM6N35FE,LM - MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
6680095 Pieces
参考价
USD 0.042
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规格 SSM6N35FE,LM

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : SSM6N35FE,LM
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
描述 : MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss) : 20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 180mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 3 Ohm @ 50mA, 4V
VGS(TH)(最大)标识 : 1V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : -
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 9.5pF @ 3V
功率 - 最大 : 150mW
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : SOT-563, SOT-666
供应商设备封装 : ES6 (1.6x1.6)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : SSM6 , SSM6N3

文件 SSM6N35FE,LM

数据表 : SSM6N35FE,LM.pdf

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零件号 品牌 描述 购买

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