TSM6502CR RLG 数据表
规格 TSM6502CR RLG
零件号 : TSM6502CR RLG
制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
描述 : MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : N and P-Channel
FET特点 : Standard
漏极至源极电压（Vdss） : 60V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 24A (Tc), 18A (Tc)
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
功率 - 最大 : 40W
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 8-PowerTDFN
供应商设备封装 : 8-PDFN (5x6)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
1743170 件
参考价
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