TSM6502CR RLG - MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
1743170 Pieces
参考价
USD 0.16095
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规格 TSM6502CR RLG

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : TSM6502CR RLG
制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
描述 : MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : N and P-Channel
FET特点 : Standard
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 24A (Tc), 18A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
功率 - 最大 : 40W
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 8-PowerTDFN
供应商设备封装 : 8-PDFN (5x6)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : TSM6 , TSM650

文件 TSM6502CR RLG

数据表 : TSM6502CR RLG.pdf

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