DMT10H015LSS-13 - MOSFET N-CH 100V 8.3A

制造商零件编号

DMT10H015LSS-13

内部零件号

AX-DMT10H015LSS-13

制造商

Diodes Incorporated

简要描述

MOSFET N-CH 100V 8.3A

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

872525 Pieces

参考价

~~USD 0.321552~~

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规格 DMT10H015LSS-13

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : DMT10H015LSS-13

制造商 : Diodes Incorporated

描述 : MOSFET N-CH 100V 8.3A

系列 : -

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 100V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 8.3A (Ta)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 4.5V, 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 16 mOhm @ 20A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 3.5V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 33.3nC @ 10V

VGS（最大） : ±20V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 1871pF @ 50V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 1.2W (Ta)

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : 8-SO

封装/箱体 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 DMT10H015LSS-13

数据表 : DMT10H015LSS-13.pdf

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