TK39J60W,S1VQ - MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

制造商零件编号

TK39J60W,S1VQ

内部零件号

AX-TK39J60W,S1VQ

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

简要描述

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

57540 Pieces

参考价

~~USD 5.85~~

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规格 TK39J60W,S1VQ

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : TK39J60W,S1VQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage

描述 : MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

系列 : DTMOSIV

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 600V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 38.8A (Ta)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 65 mOhm @ 19.4A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 3.7V @ 1.9mA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 110nC @ 10V

VGS（最大） : ±30V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 4100pF @ 300V

FET特点 : Super Junction

功率耗散（最大） : 270W (Tc)

工作温度 : 150°C (TJ)

安装类型 : Through Hole

供应商设备封装 : TO-3P(N)

封装/箱体 : TO-3P-3, SC-65-3

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 TK39J60W,S1VQ

数据表 : TK39J60W,S1VQ.pdf

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