NTD4856N-1G - MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK

制造商零件编号

NTD4856N-1G

内部零件号

AX-NTD4856N-1G

制造商

ON Semiconductor

简要描述

MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

4984 Pieces

参考价

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规格 NTD4856N-1G

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : NTD4856N-1G

制造商 : ON Semiconductor

描述 : MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK

系列 : -

零件状态 : Obsolete

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 25V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 13.3A (Ta), 89A (Tc)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 4.5V, 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 4.7 mOhm @ 30A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 27nC @ 4.5V

VGS（最大） : ±20V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 2241pF @ 12V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 1.33W (Ta), 60W (Tc)

工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型 : Through Hole

供应商设备封装 : I-PAK

封装/箱体 : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 NTD4856N-1G

数据表 : NTD4856N-1G.pdf

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