APTGTQ200A65T3G - POWER MODULE - IGBT

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
POWER MODULE - IGBT
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
11984 Pieces
参考价
USD 37.43358
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规格 APTGTQ200A65T3G

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : APTGTQ200A65T3G
制造商 : Microsemi Corporation
描述 : POWER MODULE - IGBT
系列 : -
零件状态 : Active
IGBT类型 : -
组态 : Half Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 650V
电流 - 集电极(Ic)(最大) : 200A
功率 - 最大 : 483W
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路 : 2.2V @ 15V, 200A
电流 - 集电极截止(最大) : 200µA
输入电容(连锁商店)@的Vce : 12nF @ 25V
输入 : Standard
NTC热敏电阻器 : Yes
工作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Chassis Mount
封装/箱体 : Module
供应商设备封装 : SP3F
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : APTGT , APTGTQ2

文件 APTGTQ200A65T3G

数据表 : APTGTQ200A65T3G.pdf

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零件号 品牌 描述 购买

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