TSM60NB190CM2 RNG - MOSFET N-CH 600V 18A TO263

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
313805 Pieces
参考价
USD 0.89406
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规格 TSM60NB190CM2 RNG

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : TSM60NB190CM2 RNG
制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
描述 : MOSFET N-CH 600V 18A TO263
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 18A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 190 mOhm @ 6A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 31nC @ 10V
VGS(最大) : ±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 1273pF @ 100V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 150.6W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : TO-263 (D²Pak)
封装/箱体 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : TSM60 , TSM60NB1

文件 TSM60NB190CM2 RNG

数据表 : TSM60NB190CM2 RNG.pdf

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