RQ3E130BNTB - MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
3184250 Pieces
参考价
USD 0.08811
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规格 RQ3E130BNTB

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : RQ3E130BNTB
制造商 : Rohm Semiconductor
描述 : MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 13A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 6 mOhm @ 13A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 2.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 36nC @ 10V
VGS(最大) : ±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 1900pF @ 15V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 2W (Ta)
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : 8-HSMT (3.2x3)
封装/箱体 : 8-PowerVDFN
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : RQ3 , RQ3E1

文件 RQ3E130BNTB

数据表 : RQ3E130BNTB.pdf

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