TPH3208LD - GANFET N-CH 650V 20A PQFN
制造商零件编号
内部零件号
AX-TPH3208LD
制造商
简要描述
GANFET N-CH 650V 20A PQFN
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
23696 Pieces
参考价
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规格 TPH3208LD
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
TPH3208LD
制造商 :
Transphorm
描述 :
GANFET N-CH 650V 20A PQFN
系列 :
-
零件状态 :
Obsolete
FET型 :
N-Channel
技术 :
GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压（Vdss） :
650V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
20A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
130 mOhm @ 13A, 8V
VGS（TH）（最大）标识 :
2.6V @ 300µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
14nC @ 8V
VGS（最大） :
±18V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
760pF @ 400V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
96W (Tc)
工作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
供应商设备封装 :
4-PQFN (8x8)
封装/箱体 :
4-PowerDFN
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 TPH3208LD
数据表 :
TPH3208LD.pdf
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