RFD16N06LESM9A - MOSFET N-CH 60V 16A DPAK

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
703885 Pieces
参考价
USD 0.398592
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规格 RFD16N06LESM9A

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : RFD16N06LESM9A
制造商 : ON Semiconductor
描述 : MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 16A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 47 mOhm @ 16A, 5V
VGS(TH)(最大)标识 : 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 62nC @ 10V
VGS(最大) : +10V, -8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 1350pF @ 25V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 90W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : TO-252AA
封装/箱体 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : RFD1 , RFD16N0

文件 RFD16N06LESM9A

数据表 : RFD16N06LESM9A.pdf

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