DF11MR12W1M1B11BOMA1 - MOSFET MODULE 1200V 50A
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET MODULE 1200V 50A
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
5560 Pieces
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规格 DF11MR12W1M1B11BOMA1
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : DF11MR12W1M1B11BOMA1
制造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET MODULE 1200V 50A
系列 : CoolSiC™
零件状态 : Obsolete
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压（Vdss） : 1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 50A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 23 mOhm @ 50A, 15V
VGS（TH）（最大）标识 : 5.5V @ 20mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 125nC @ 5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 3950pF @ 800V
功率 - 最大 : 20mW
工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Chassis Mount
封装/箱体 : Module
供应商设备封装 : Module
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : DF11MR , DF11MR12W1
文件 DF11MR12W1M1B11BOMA1
数据表 : DF11MR12W1M1B11BOMA1.pdf
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