TC58BYG0S3HBAI6 - IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
161965 Pieces
参考价
USD 1.926
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规格 TC58BYG0S3HBAI6

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : TC58BYG0S3HBAI6
制造商 : Toshiba Memory America, Inc.
描述 : IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
系列 : Benand™
零件状态 : Active
内存类型 : Non-Volatile
存储格式 : FLASH
技术 : FLASH - NAND (SLC)
内存大小 : 1Gb (128M x 8)
时钟频率 : -
写周期时间 - 字,页面 : 25ns
访问时间 : 25ns
内存接口 : Parallel
电压 - 电源 : 1.7V ~ 1.95V
工作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 67-VFBGA
供应商设备封装 : 67-VFBGA (6.5x8)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : TC58B , TC58BYG

文件 TC58BYG0S3HBAI6

数据表 : TC58BYG0S3HBAI6.pdf

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