SI3585CDV-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
2158845 Pieces
参考价
USD 0.12996
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规格 SI3585CDV-T1-GE3

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : SI3585CDV-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
系列 : TrenchFET®
零件状态 : Active
FET型 : N and P-Channel
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss) : 20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 3.9A, 2.1A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识 : 1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 4.8nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 150pF @ 10V
功率 - 最大 : 1.4W, 1.3W
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备封装 : 6-TSOP
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : SI358 , SI3585CD

文件 SI3585CDV-T1-GE3

数据表 : SI3585CDV-T1-GE3.pdf

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