MBR20030CT - DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
10536 Pieces
参考价
USD 42.5436
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规格 MBR20030CT

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : MBR20030CT
制造商 : GeneSiC Semiconductor
描述 : DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
系列 : -
零件状态 : Active
二极管配置 : 1 Pair Common Cathode
二极管类型 : Schottky
电压 - (Vr)(最大) : 30V
电流 - 平均整流(Io)(每个二极管) : 200A (DC)
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果 : 650mV @ 100A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr) : -
电流 - Vr时反向漏电 : 5mA @ 20V
工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C
安装类型 : Chassis Mount
封装/箱体 : Twin Tower
供应商设备封装 : Twin Tower
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : MBR , MBR20

文件 MBR20030CT

数据表 : MBR20030CT.pdf

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