BSM120D12P2C005 - MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

制造商零件编号

BSM120D12P2C005

内部零件号

AX-BSM120D12P2C005

制造商

Rohm Semiconductor

简要描述

MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

9169 Pieces

参考价

~~USD 223.974~~

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规格 BSM120D12P2C005

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : BSM120D12P2C005

制造商 : Rohm Semiconductor

描述 : MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

系列 : -

零件状态 : Active

FET型 : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET特点 : Silicon Carbide (SiC)

漏极至源极电压（Vdss） : 1200V (1.2kV)

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 120A (Tc)

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : -

VGS（TH）（最大）标识 : 2.7V @ 22mA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : -

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 14000pF @ 10V

功率 - 最大 : 780W

工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : -

封装/箱体 : Module

供应商设备封装 : Module

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 BSM120D12P2C005

数据表 : BSM120D12P2C005.pdf

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