BSM120D12P2C005 - MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
9169 Pieces
参考价
USD 223.974
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规格 BSM120D12P2C005

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : BSM120D12P2C005
制造商 : Rohm Semiconductor
描述 : MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点 : Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压(Vdss) : 1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 120A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : -
VGS(TH)(最大)标识 : 2.7V @ 22mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : -
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 14000pF @ 10V
功率 - 最大 : 780W
工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : -
封装/箱体 : Module
供应商设备封装 : Module
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : BSM12 , BSM120D

文件 BSM120D12P2C005

数据表 : BSM120D12P2C005.pdf

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