IDB30E120ATMA1 - DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
348025 Pieces
参考价
USD 0.806142
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规格 IDB30E120ATMA1

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : IDB30E120ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
描述 : DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
系列 : -
零件状态 : Active
二极管类型 : Standard
电压 - (Vr)(最大) : 1200V
电流 - 平均整流(Io) : 50A (DC)
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果 : 2.15V @ 30A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr) : 243ns
电流 - Vr时反向漏电 : 100µA @ 1200V
电容@ Vr,F时 : -
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装 : PG-TO263-3
工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : IDB3 , IDB30E1

文件 IDB30E120ATMA1

数据表 : IDB30E120ATMA1.pdf

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