FDI047AN08A0 - MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

制造商零件编号

FDI047AN08A0

内部零件号

AX-FDI047AN08A0

制造商

ON Semiconductor

简要描述

MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

65050 Pieces

参考价

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规格 FDI047AN08A0

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : FDI047AN08A0

制造商 : ON Semiconductor

描述 : MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

系列 : PowerTrench®

零件状态 : Obsolete

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 75V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 80A (Tc)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 6V, 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 4.7 mOhm @ 80A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 4V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 138nC @ 10V

VGS（最大） : ±20V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 6600pF @ 25V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 310W (Tc)

工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型 : Through Hole

供应商设备封装 : I2PAK (TO-262)

封装/箱体 : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 FDI047AN08A0

数据表 : FDI047AN08A0.pdf

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