2SK3666-3-TB-E - JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
4863810 Pieces
参考价
USD 0.057684
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规格 2SK3666-3-TB-E

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : 2SK3666-3-TB-E
制造商 : ON Semiconductor
描述 : JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
电压 - 击穿(V(BR)GSS) : -
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 漏极(的Idss)@的Vds(Vgs = 0时) : 1.2mA @ 10V
当前漏极(Id) - 最大 : 10mA
电压 - 截止(VGS关闭)@标识 : 180mV @ 1µA
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 4pF @ 10V
电阻 - RDS(ON) : 200 Ohms
功率 - 最大 : 200mW
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 : 3-CP
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : 2SK3 , 2SK3666

文件 2SK3666-3-TB-E

数据表 : 2SK3666-3-TB-E.pdf

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