HS8K11TB - MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
制造商零件编号
内部零件号
AX-HS8K11TB
简要描述
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
3047290 Pieces
参考价
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规格 HS8K11TB
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : HS8K11TB
制造商 : Rohm Semiconductor
描述 : MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） : 30V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 7A, 11A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 17.9 mOhm @ 7A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 11.1nC @ 10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 500pF @ 15V
功率 - 最大 : 2W
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 8-UDFN Exposed Pad
供应商设备封装 : HSML3030L10
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 HS8K11TB
数据表 : HS8K11TB.pdf
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