TPH1R712MD,L1Q - MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
856420 Pieces
参考价
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规格 TPH1R712MD,L1Q
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
TPH1R712MD,L1Q
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
描述 :
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
系列 :
U-MOSVI
零件状态 :
Active
FET型 :
P-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
20V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
60A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
2.5V, 4.5V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
VGS（TH）（最大）标识 :
1.2V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
182nC @ 5V
VGS（最大） :
±12V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
10900pF @ 10V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
78W (Tc)
工作温度 :
150°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
供应商设备封装 :
8-SOP Advance (5x5)
封装/箱体 :
8-PowerVDFN
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 TPH1R712MD,L1Q
数据表 :
TPH1R712MD,L1Q.pdf
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