EPC2016C - GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE

制造商零件编号

EPC2016C

内部零件号

AX-EPC2016C

制造商

EPC

简要描述

GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

445330 Pieces

参考价

~~USD 0.63~~

我们的价格

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规格 EPC2016C

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : EPC2016C

制造商 : EPC

描述 : GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE

系列 : eGaN®

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : GaNFET (Gallium Nitride)

漏极至源极电压（Vdss） : 100V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 18A (Ta)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 5V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 16 mOhm @ 11A, 5V

VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 3mA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 4.5nC @ 5V

VGS（最大） : +6V, -4V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 420pF @ 50V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : -

工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : Die

封装/箱体 : Die

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 EPC2016C

数据表 : EPC2016C.pdf

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零件号	品牌	描述
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