SE10FJ-M3/I - DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
制造商零件编号
内部零件号
AX-SE10FJ-M3/I
简要描述
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
6989635 Pieces
参考价
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规格 SE10FJ-M3/I
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : SE10FJ-M3/I
制造商 : Vishay Semiconductor Diodes Division
描述 : DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
系列 : -
零件状态 : Active
二极管类型 : Standard
电压 - （Vr）（最大） : 600V
电流 - 平均整流（Io） : 1A
电压 - 正向（Vf）（最大）@如果 : 1.05V @ 1A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间（trr） : 780ns
电流 - Vr时反向漏电 : 5µA @ 600V
电容@ Vr，F时 : 7.5pF @ 4V, 1MHz
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : DO-219AB
供应商设备封装 : DO-219AB (SMF)
工作温度 - 结 : -55°C ~ 175°C
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 SE10FJ-M3/I
数据表 : SE10FJ-M3/I.pdf
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