MURTA200120R - DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
7144 Pieces
参考价
USD 62.779332
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规格 MURTA200120R

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : MURTA200120R
制造商 : GeneSiC Semiconductor
描述 : DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
系列 : -
零件状态 : Active
二极管配置 : 1 Pair Common Anode
二极管类型 : Standard
电压 - (Vr)(最大) : 1200V
电流 - 平均整流(Io)(每个二极管) : 100A
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果 : 2.6V @ 100A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr) : -
电流 - Vr时反向漏电 : 25µA @ 1200V
工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C
安装类型 : Chassis Mount
封装/箱体 : Three Tower
供应商设备封装 : Three Tower
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : MURT , MURTA2

文件 MURTA200120R

数据表 : MURTA200120R.pdf

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