SIR470DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
346025 Pieces
参考价
USD 0.81081
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规格 SIR470DP-T1-GE3

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : SIR470DP-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
系列 : TrenchFET®
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 40V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 60A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 2.3 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 155nC @ 10V
VGS(最大) : ±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 5660pF @ 20V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : PowerPAK® SO-8
封装/箱体 : PowerPAK® SO-8
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : SIR47 , SIR470D

文件 SIR470DP-T1-GE3

数据表 : SIR470DP-T1-GE3.pdf

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