CSD85312Q3E - MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
制造商零件编号
内部零件号
AX-CSD85312Q3E
简要描述
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
1223455 Pieces
参考价
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规格 CSD85312Q3E
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : CSD85312Q3E
制造商 : Texas Instruments
描述 : MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
系列 : NexFET™
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET特点 : Logic Level Gate, 5V Drive
漏极至源极电压（Vdss） : 20V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 39A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 12.4 mOhm @ 10A, 8V
VGS（TH）（最大）标识 : 1.4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 15.2nC @ 4.5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 2390pF @ 10V
功率 - 最大 : 2.5W
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 8-PowerVDFN
供应商设备封装 : 8-VSON (3.3x3.3)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 CSD85312Q3E
数据表 : CSD85312Q3E.pdf
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