EPC2107ENGRT - GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
制造商零件编号
内部零件号
AX-EPC2107ENGRT
制造商
简要描述
GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
538710 Pieces
参考价
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规格 EPC2107ENGRT
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : EPC2107ENGRT
制造商 : EPC
描述 : GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
系列 : eGaN®
零件状态 : Active
FET型 : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET特点 : GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压（Vdss） : 100V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 1.7A, 500mA
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
功率 - 最大 : -
工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 9-VFBGA
供应商设备封装 : 9-BGA (1.35x1.35)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 EPC2107ENGRT
数据表 : EPC2107ENGRT.pdf
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