IS43DR16160B-25DBLI-TR - IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
120250 Pieces
参考价
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规格 IS43DR16160B-25DBLI-TR
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
IS43DR16160B-25DBLI-TR
制造商 :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
描述 :
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
系列 :
-
零件状态 :
Active
内存类型 :
Volatile
存储格式 :
DRAM
技术 :
SDRAM - DDR2
内存大小 :
256Mb (16M x 16)
时钟频率 :
400MHz
写周期时间 - 字，页面 :
15ns
访问时间 :
400ps
内存接口 :
Parallel
电压 - 电源 :
1.7V ~ 1.9V
工作温度 :
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
84-TFBGA
供应商设备封装 :
84-TWBGA (8x12.5)
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
相关链接 :
IS43DR1 , IS43DR16160
文件 IS43DR16160B-25DBLI-TR
相关产品 IS43DR16160B-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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CAP CER 5000PF 20KV SCREW. |
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CAP CER 7600PF 20KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 2500PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 100PF 16KV DISK. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 4700PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 4700PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 2200PF 14KV. |
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Vishay Vitramon |
CAP CER 220PF 100V BP 1805. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 14KV SCREW. |
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CAP CER 25PF 30KV. |
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CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD. |
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CAP CER 160PF 9KV AXIAL. |
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