AS4C64M16D1-6TIN - IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
26418 Pieces
参考价
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规格 AS4C64M16D1-6TIN
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : AS4C64M16D1-6TIN
制造商 : Alliance Memory, Inc.
描述 : IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
系列 : -
零件状态 : Active
内存类型 : Volatile
存储格式 : DRAM
技术 : SDRAM - DDR
内存大小 : 1Gb (64M x 16)
时钟频率 : 166MHz
写周期时间 - 字，页面 : 15ns
访问时间 : 700ps
内存接口 : Parallel
电压 - 电源 : 2.3V ~ 2.7V
工作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供应商设备封装 : 66-TSOP II
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 AS4C64M16D1-6TIN
数据表 : AS4C64M16D1-6TIN.pdf
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