LN100LA-G - MOSFET 2N-CH 1200V

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET 2N-CH 1200V
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
28511 Pieces
参考价
USD 0
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规格 LN100LA-G

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : LN100LA-G
制造商 : Microchip Technology
描述 : MOSFET 2N-CH 1200V
系列 : -
零件状态 : Obsolete
FET型 : 2 N-Channel (Cascoded)
FET特点 : Standard
漏极至源极电压(Vdss) : 1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : -
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V
VGS(TH)(最大)标识 : 1.6V @ 10µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : -
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 50pF @ 25V
功率 - 最大 : 350mW
工作温度 : -25°C ~ 125°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 6-VFLGA
供应商设备封装 : 6-LFGA (3x3)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : LN1 , LN10

文件 LN100LA-G

数据表 : LN100LA-G.pdf

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