BYV30JT-600PQ - DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

制造商零件编号

内部零件号

制造商

简要描述

DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

26565 Pieces

参考价

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质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : BYV30JT-600PQ

制造商 : WeEn Semiconductors

描述 : DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

系列 : -

零件状态 : Active

二极管类型 : Standard

电压 - （Vr）（最大） : 600V

电流 - 平均整流（Io） : 30A

电压 - 正向（Vf）（最大）@如果 : 1.8V @ 30A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间（trr） : 65ns

电流 - Vr时反向漏电 : 10µA @ 600V

电容@ Vr，F时 : -

安装类型 : Through Hole

封装/箱体 : TO-3P-3, SC-65-3

供应商设备封装 : TO-3P

工作温度 - 结 : 175°C (Max)

重量 : -

条件 : 新的和原始的