BSM75GB120DN2HOSA1 - IGBT 2 MED POWER 34MM-1
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
8576 Pieces
参考价
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规格 BSM75GB120DN2HOSA1
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : BSM75GB120DN2HOSA1
制造商 : Infineon Technologies
描述 : IGBT 2 MED POWER 34MM-1
系列 : -
零件状态 : Not For New Designs
IGBT类型 : -
组态 : Half Bridge
电压 - 集电极发射极击穿（最大） : 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大） : 105A
功率 - 最大 : 625W
的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 : 3V @ 15V, 75A
电流 - 集电极截止（最大） : 1.5mA
输入电容（连锁商店）@的Vce : 5.5nF @ 25V
输入 : Standard
NTC热敏电阻器 : No
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Chassis Mount
封装/箱体 : Module
供应商设备封装 : Module
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 BSM75GB120DN2HOSA1
数据表 : BSM75GB120DN2HOSA1.pdf
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