IPP65R074C6XKSA1 - MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
68855 Pieces
参考价
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规格 IPP65R074C6XKSA1
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
IPP65R074C6XKSA1
制造商 :
Infineon Technologies
描述 :
MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220
系列 :
CoolMOS™
零件状态 :
Last Time Buy
FET型 :
N-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
650V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
57.7A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
74 mOhm @ 13.9A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
3.5V @ 1.4mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
17nC @ 10V
VGS（最大） :
±20V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
3020pF @ 100V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
480.8W (Tc)
工作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 :
Through Hole
供应商设备封装 :
PG-TO220-3
封装/箱体 :
TO-220-3
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 IPP65R074C6XKSA1
数据表 :
IPP65R074C6XKSA1.pdf
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