SIR112DP-T1-RE3 - MOSFET N-CHAN 40V

制造商零件编号

SIR112DP-T1-RE3

内部零件号

AX-SIR112DP-T1-RE3

制造商

Vishay Siliconix

简要描述

MOSFET N-CHAN 40V

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

715855 Pieces

参考价

~~USD 0.391926~~

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规格 SIR112DP-T1-RE3

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : SIR112DP-T1-RE3

制造商 : Vishay Siliconix

描述 : MOSFET N-CHAN 40V

系列 : TrenchFET® Gen IV

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 40V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 37.6A (Ta), 133A (Tc)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 4.5V, 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 1.96 mOhm @ 10A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 2.4V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 89nC @ 10V

VGS（最大） : +20V, -16V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 4270pF @ 20V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 5W (Ta), 62.5W (Tc)

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : PowerPAK® SO-8

封装/箱体 : PowerPAK® SO-8

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 SIR112DP-T1-RE3

数据表 : SIR112DP-T1-RE3.pdf

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