NTLJD3115PT1G - MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
2162940 Pieces
参考价
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规格 NTLJD3115PT1G
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : NTLJD3115PT1G
制造商 : ON Semiconductor
描述 : MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : 2 P-Channel (Dual)
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） : 20V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 2.3A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 100 mOhm @ 2A, 4.5V
VGS（TH）（最大）标识 : 1V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 6.2nC @ 4.5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 531pF @ 10V
功率 - 最大 : 710mW
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 6-WDFN Exposed Pad
供应商设备封装 : 6-WDFN (2x2)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 NTLJD3115PT1G
数据表 : NTLJD3115PT1G.pdf
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