SQJ200EP-T1_GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
948870 Pieces
参考价
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规格 SQJ200EP-T1_GE3
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : SQJ200EP-T1_GE3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
系列 : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Standard
漏极至源极电压（Vdss） : 20V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 20A, 60A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 8.8 mOhm @ 16A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 2V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 18nC @ 10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 975pF @ 10V
功率 - 最大 : 27W, 48W
工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : PowerPAK® SO-8 Dual
供应商设备封装 : PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 SQJ200EP-T1_GE3
数据表 : SQJ200EP-T1_GE3.pdf
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