APTC60HM70T1G - MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
16784 Pieces
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规格 APTC60HM70T1G
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : APTC60HM70T1G
制造商 : Microsemi Corporation
描述 : MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET特点 : Standard
漏极至源极电压（Vdss） : 600V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 39A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 70 mOhm @ 39A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 3.9V @ 2.7mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 259nC @ 10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 7000pF @ 25V
功率 - 最大 : 250W
工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Chassis Mount
封装/箱体 : SP1
供应商设备封装 : SP1
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 APTC60HM70T1G
数据表 : APTC60HM70T1G.pdf
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