SI4200DY-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

制造商零件编号

SI4200DY-T1-GE3

内部零件号

AX-SI4200DY-T1-GE3

制造商

Vishay Siliconix

简要描述

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

1839160 Pieces

参考价

~~USD 0.15255~~

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规格 SI4200DY-T1-GE3

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : SI4200DY-T1-GE3

制造商 : Vishay Siliconix

描述 : MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

系列 : TrenchFET®

零件状态 : Obsolete

FET型 : 2 N-Channel (Dual)

FET特点 : Logic Level Gate

漏极至源极电压（Vdss） : 25V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 8A

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 25 mOhm @ 7.3A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 2.2V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 12nC @ 10V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 415pF @ 13V

功率 - 最大 : 2.8W

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

封装/箱体 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供应商设备封装 : 8-SO

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 SI4200DY-T1-GE3

数据表 : SI4200DY-T1-GE3.pdf

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