IRFHM8363TRPBF - MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

制造商零件编号

IRFHM8363TRPBF

内部零件号

AX-IRFHM8363TRPBF

制造商

Infineon Technologies

简要描述

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

1214560 Pieces

参考价

~~USD 0.231~~

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规格 IRFHM8363TRPBF

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : IRFHM8363TRPBF

制造商 : Infineon Technologies

描述 : MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

系列 : HEXFET®

零件状态 : Not For New Designs

FET型 : 2 N-Channel (Dual)

FET特点 : Logic Level Gate

漏极至源极电压（Vdss） : 30V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 11A

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 14.9 mOhm @ 10A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 2.35V @ 25µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 15nC @ 10V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 1165pF @ 10V

功率 - 最大 : 2.7W

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

封装/箱体 : 8-PowerVDFN

供应商设备封装 : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 IRFHM8363TRPBF

数据表 : IRFHM8363TRPBF.pdf

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零件号	品牌	描述
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WF110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
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WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
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