JAN1N5553US - DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

制造商零件编号

内部零件号

制造商

简要描述

DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

36267 Pieces

参考价

~~USD 10.8273~~

我们的价格

-（请以更优惠的价格与我们联系：[email protected]）

AX Semiconductor有JAN1N5553US的库存可出售。我们可以在1-2天内寄给您。请联系我们以获得JAN1N5553US的更优惠价格。我们的电子邮件：[email protected]

运送方式和运送时间:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

付款方式:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : JAN1N5553US

制造商 : Microsemi Corporation

描述 : DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

系列 : Military, MIL-PRF-19500/420

零件状态 : Active

二极管类型 : Standard

电压 - （Vr）（最大） : 800V

电流 - 平均整流（Io） : 3A

电压 - 正向（Vf）（最大）@如果 : 1.3V @ 9A

速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间（trr） : 2µs

电流 - Vr时反向漏电 : 1µA @ 800V

电容@ Vr，F时 : -

安装类型 : Surface Mount

封装/箱体 : SQ-MELF, B

供应商设备封装 : D-5B

工作温度 - 结 : -65°C ~ 175°C

重量 : -

条件 : 新的和原始的

数据表 : JAN1N5553US.pdf