RCD075N19TL - MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
1192870 Pieces
参考价
USD 0.2352
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规格 RCD075N19TL

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : RCD075N19TL
制造商 : Rohm Semiconductor
描述 : MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
系列 : -
零件状态 : Not For New Designs
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 190V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 7.5A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 4V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 336 mOhm @ 3.8A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 2.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 30nC @ 10V
VGS(最大) : ±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 1100pF @ 25V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 850mW (Ta), 20W (Tc)
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : CPT3
封装/箱体 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : RCD , RCD07

文件 RCD075N19TL

数据表 : RCD075N19TL.pdf

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