RQ1C065UNTR - MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
制造商零件编号
内部零件号
AX-RQ1C065UNTR
简要描述
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
2375445 Pieces
参考价
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规格 RQ1C065UNTR
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
RQ1C065UNTR
制造商 :
Rohm Semiconductor
描述 :
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
系列 :
-
零件状态 :
Active
FET型 :
N-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
20V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
6.5A (Ta)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
1.5V, 4.5V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
VGS（TH）（最大）标识 :
1V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
11nC @ 4.5V
VGS（最大） :
±10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
870pF @ 10V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
700mW (Ta)
工作温度 :
150°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
供应商设备封装 :
TSMT8
封装/箱体 :
8-SMD, Flat Lead
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 RQ1C065UNTR
数据表 :
RQ1C065UNTR.pdf
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