VS-GB100TH120N - IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

制造商零件编号

VS-GB100TH120N

内部零件号

AX-VS-GB100TH120N

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

简要描述

IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

9181 Pieces

参考价

~~USD 214.417002~~

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规格 VS-GB100TH120N

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : VS-GB100TH120N

制造商 : Vishay Semiconductor Diodes Division

描述 : IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

系列 : -

零件状态 : Active

IGBT类型 : -

组态 : Half Bridge

电压 - 集电极发射极击穿（最大） : 1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大） : 200A

功率 - 最大 : 833W

的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 : 2.35V @ 15V, 100A

电流 - 集电极截止（最大） : 5mA

输入电容（连锁商店）@的Vce : 8.58nF @ 25V

输入 : Standard

NTC热敏电阻器 : No

工作温度 : 150°C (TJ)

安装类型 : Chassis Mount

封装/箱体 : Double INT-A-PAK (3 + 4)

供应商设备封装 : Double INT-A-PAK

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 VS-GB100TH120N

数据表 : VS-GB100TH120N.pdf

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