MURTA20060R - DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

制造商零件编号

内部零件号

制造商

简要描述

DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

7144 Pieces

参考价

~~USD 62.779332~~

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质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : MURTA20060R

制造商 : GeneSiC Semiconductor

描述 : DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

系列 : -

零件状态 : Active

二极管配置 : 1 Pair Common Anode

二极管类型 : Standard

电压 - （Vr）（最大） : 600V

电流 - 平均整流（Io）（每个二极管） : 100A

电压 - 正向（Vf）（最大）@如果 : 1.7V @ 100A

速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间（trr） : -

电流 - Vr时反向漏电 : 25µA @ 600V

工作温度 - 结 : -55°C ~ 150°C

安装类型 : Chassis Mount

封装/箱体 : Three Tower

供应商设备封装 : Three Tower

重量 : -

条件 : 新的和原始的