MURTA20060R - DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
制造商零件编号
内部零件号
AX-MURTA20060R
简要描述
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
7144 Pieces
参考价
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规格 MURTA20060R
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
MURTA20060R
制造商 :
GeneSiC Semiconductor
描述 :
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
系列 :
-
零件状态 :
Active
二极管配置 :
1 Pair Common Anode
二极管类型 :
Standard
电压 - （Vr）（最大） :
600V
电流 - 平均整流（Io）（每个二极管） :
100A
电压 - 正向（Vf）（最大）@如果 :
1.7V @ 100A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间（trr） :
-
电流 - Vr时反向漏电 :
25µA @ 600V
工作温度 - 结 :
-55°C ~ 150°C
安装类型 :
Chassis Mount
封装/箱体 :
Three Tower
供应商设备封装 :
Three Tower
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 MURTA20060R
数据表 :
MURTA20060R.pdf
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