IXTM35N30 - POWER MOSFET TO-3

制造商零件编号

IXTM35N30

内部零件号

AX-IXTM35N30

制造商

IXYS

简要描述

POWER MOSFET TO-3

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

22687 Pieces

参考价

~~USD 0~~

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规格 IXTM35N30

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : IXTM35N30

制造商 : IXYS

描述 : POWER MOSFET TO-3

系列 : GigaMOS™

零件状态 : Last Time Buy

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 300V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 35A (Tc)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 100 mOhm @ 17.5A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 4V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 220nC @ 10V

VGS（最大） : ±20V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 4600pF @ 25V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 300W (Tc)

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Through Hole

供应商设备封装 : TO-204AE

封装/箱体 : TO-204AE

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 IXTM35N30

数据表 : IXTM35N30.pdf

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