TSM200N03DPQ33 RGG - MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

制造商零件编号

TSM200N03DPQ33 RGG

内部零件号

AX-TSM200N03DPQ33 RGG

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

简要描述

MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

2682915 Pieces

参考价

~~USD 0.104574~~

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规格 TSM200N03DPQ33 RGG

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : TSM200N03DPQ33 RGG

制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation

描述 : MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

系列 : -

零件状态 : Active

FET型 : 2 N-Channel (Dual)

FET特点 : Standard

漏极至源极电压（Vdss） : 30V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 20A (Tc)

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 20 mOhm @ 10A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 4nC @ 4.5V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 345pF @ 25V

功率 - 最大 : 20W

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

封装/箱体 : 8-PowerWDFN

供应商设备封装 : 8-PDFN (3x3)

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 TSM200N03DPQ33 RGG

数据表 : TSM200N03DPQ33 RGG.pdf

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