TSM200N03DPQ33 RGG - MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
2682915 Pieces
参考价
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规格 TSM200N03DPQ33 RGG
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : TSM200N03DPQ33 RGG
制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
描述 : MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Standard
漏极至源极电压（Vdss） : 30V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 20A (Tc)
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 20 mOhm @ 10A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 4nC @ 4.5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 345pF @ 25V
功率 - 最大 : 20W
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 8-PowerWDFN
供应商设备封装 : 8-PDFN (3x3)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 TSM200N03DPQ33 RGG
数据表 : TSM200N03DPQ33 RGG.pdf
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